이미 소장하고 있다면 판매해 보세요.
|
1. 집적회로의 역사 및 전망
집적회로의 역사 집적회로의 발전 전망 아날로그 집적 회로 2. MOS Device Physics 실리콘의 성질 MOS 커패시터 MOSFET BSIM3v3 SPICE MOSFET 모델 3. CMOS 공정 및 레이아웃 CMOS 공정 및 레이아웃 개요 CMOS 칩 제작 순서 레이아웃 설계규칙과 MOS 트랜지스터 레이아웃 저항 커패시터 래치업 도선 모델 4. 단일 트랜지스터 증폭기와 캐스코드 증폭기 소신호 등가 회로 공통소스 증폭기 공통게이트 증폭기 공통드레인 증폭기 단일 트렌지스터 증폭기의 특성 비교 캐스코드 증폭기 5. 차동 증폭기 저항부하 NMOS 차동 증폭기 능동부하 차동 증폭기 6. 피드백 회로 및 노이즈 해석 피드백 회로 노이즈 해석 7. 피드백 증폭기의 주파수 특성과 주파수 안정도 single-pole 피드백 증폭기 2-pole 피드백 증폭기 2-pole 1-zero피드백 증폭기 3-pole pole와 zero의 발생 원인과 대처 방안 8. 전류원 및 바이어스 회로 전류원 회로 바이어스 회로 |
박홍준의 다른 상품
|
우리나라 반도체 산업은, 최근10여년간 급속한 발전을 이루어 DRAM생산이 현재 세계시장의 35%를 차지하는 등, 수출 주력 산업으로 자리잡게 되었다. 이과정에서 공정 기술은 외국산 반도체 제조장비의 활용으로 세계 최고의 수준에 도달 하였다. 집적회로 설계에 있어서는 그 동안 꾸준히 양적 성장이 지속되었으나, 시스템 집적회로 칩은 그 품종이 매우 다양하고 DRAM 등의 메모리 칩도 주문형 메모리 개념이 도입되면서 품종이 늘어나고 또 고속 동작 및 저전력 설계 기법이 요구되면서, 집적회로 설계 엔지니어 및 시스템 설계 엔지니어에 대한 수요가 계속하여 증대 되고있다. 아날로그 집적회로 설계 기술은 아날로그 회로 설계 뿐만 아니라 DRAM을 포함한 디지털 회로 설계에도 기본적으로 필요한 기술이다.
--- p. 머리말 |
|
2차 대전 이후 벨 연구서에서 전화 교환기의 전기 기계식 릴레이 회로의
속도 개선책의 일환으로 실리콘과 게르마늄 반도체에 대한 연구를 수행하던 중 1947년 12월 john bardeen 과 brattain이 게르마늄으로 세 단자 접점 증폭기를 제작하는 데 성공했다. 이들은 이 증폭기가 현재의 mosfet처럼 표면에서의 전계 효과에 의해 동작한다고 생각했는데, 이들의 상관이었던 william schockley는 이 증폭기가 게르마늄 반도체 내부의 벌크 효과에 의해 동작한다고 생각하여 1948년 초에 접합이론을 확립하였다. 실리콘은 게르마늄에 비해 화학적 반응에 민간하고 공정온도가 높은 단점은 있지만 에너지 갭이 1.1eV로서 게르마늄의 0.67eV보다 훨씬 높아 접합의 역방향 포화 전류의 온도 의존성이 낮은 장점 때문에 점차 많이 쓰게 되었다. -- pp. 3 |