품목정보
발행일	2017년 02월 17일
쪽수, 무게, 크기	908쪽 \| 188*257mm
ISBN13	9791156643142
ISBN10	1156643147

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CHAPTER 01 원자 배열 구조와 반도체 이 장의 구성과 학습 내용 1.1 전기전도도와 반도체 : J=ΣQ'Nv 1.2 원자 배열의 주기성과 결정성 반도체 1.3 3차원 주기 결정 구조와 단위셀 1.4 결정성 반도체의 방향과 결정면 1.5 주기적 원자 배열 구조와 역격자 공간 1.6 주기적 원자 배열 구조의 결정 결함 연습문제 CHAPTER 02 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초 이 장의 구성과 학습 내용 2.1 양자역학의 기초 2.2 슈뢰딩거(Schrodinger) 파동방정식 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 2.4 수소원자 모델 : 3차원 파동방정식을 이용한 원자 내 전자의 특성 2.5 보어의 수소원자 모델과 준-양자역학적 해석 연습문제 CHAPTER 03 결정성 반도체의 에너지 대역과 이동전하 이 장의 구성과 학습 내용 3.1 결정성 반도체의 에너지 대역 형성 3.2 전도대역과 가전자 대역 : 전자와 정공의 정의1 3.3 에너지 밴드갭에 따른 고체의 분류 3.4 결정성 반도체의 에너지 상태밀도함수 3.5 전자와 정공의 분포함수 : f(E) 연습문제 CHAPTER 04 열평형 상태의 반도체 : 전자와 정공의 농도 표시와 조절 이 장의 구성과 학습 내용 4.1 전자와 정공 농도 : 의미와 표시 방법 4.2 순수 반도체와 고유 캐리어 농도 4.3 불순물 주입에 의한 캐리어 농도 조절 4.4 불순물의 이온화와 다수 캐리어의 생성 4.5 불순물 주입 반도체의 전자와 정공 농도 4.6 반도체의 불순물 농도와 페르미 준위 4.7 열평형 상태의 페르미 준위 분포 연습문제 CHAPTER 05 전하의 이동과 전류 형성 : 전류 관계식 이 장의 구성과 학습 내용 5.1 전계에 의한 드리프트 전류와 이동도 5.2 농도 불균일에 의한 확산 전류와 확산계수 5.3 드리프트-확산 모델과 전류식 5.4 전류식의 응용 : 내부전계와 아인슈타인 관계식 5.5 홀 효과를 이용한 반도체의 특성 측정 연습문제 CHAPTER 06 과잉 캐리어의 생성과 재결합 이 장의 구성과 학습 내용 6.1 과잉 캐리어의 생성과 재결합 6.2 과잉 캐리어의 공간 분포와 시간적 변화 : 연속방정식 6.3 균일 도핑된 중성영역의 과잉 캐리어 : 켤레전하 전송방정식 6.4 결함 준위를 통한 생성과 재결합 6.5 유사 페르미 준위와 캐리어 농도 6.6 과잉 캐리어 특성 분석 : 쇼클리-헤인즈 측정법 연습문제 CHAPTER 07 pn 접합의 형성과 에너지 대역도 이 장의 구성과 학습 내용 7.1 반도체 접합의 종류 7.2 pn 접합의 형성과 열평형 상태 7.3 열평형 상태의 특성과 에너지 대역도 7.4 인가 전압과 pn 접합의 특성 변화 7.5 pn 접합의 접합 정전용량 연습문제 CHAPTER 08 pn 접합 다이오드의 전류-전압 특성 이 장의 구성과 학습 내용 8.1 이상적인 pn 접합 다이오드의 전류-전압 특성 8.2 공간전하영역의 열생성과 재결합 전류 8.3 pn 접합 다이오드의 역방향 접합 붕괴 현상 8.4 pn 접합 다이오드의 소신호 등가회로 8.5 전하 제어 모델과 과도응답 특성 해석 연습문제 CHAPTER 09 반도체 이종접합과 금속-반도체 접합의 특성 이 장의 구성과 학습 내용 9.1 이종접합과 에너지 대역도 9.2 이종접합 다이오드의 전류-전압 특성 9.3 금속-반도체 접합의 종류 9.4 정류형 금속-반도체 접합의 특성 9.5 저항성 금속-반도체 접합의 특성 연습문제 CHAPTER 10 바이폴라 트랜지스터의 전류-전압 특성 이 장의 구성과 학습 내용 10.1 바이폴라 트랜지스터의 구조와 동작 원리 10.2 중성영역의 과잉 소수 캐리어 농도 분포 10.3 바이폴라 트랜지스터의 전류-전압 특성 10.4 실제 바이폴라 트랜지스터의 전류-전압 특성 10.5 바이폴라 트랜지스터의 등가 모델 연습문제 CHAPTER 11 MOS 구조의 전기적 특성 이 장의 구성과 학습 내용 11.1 MOS 구조의 전기적 특성 11.2 전압이 인가된 MOS 구조의 에너지 대역도 11.3 게이트 전압과 기판 전하량(QS)의 변화 11.4 MOS 구조의 임계전압과 일함수 11.5 MOS 구조의 정전용량 변화(C-V) 특성 연습문제 CHAPTER 12 MOSFET의 전류-전압 특성 이 장의 구성과 학습 내용 12.1 MOSFET의 전류-전압 특성 12.2 MOSFET의 전류-전압 관계식과 전달 컨덕턴스 12.3 포화영역 채널길이 변조효과와 기판전압 효과 12.4 약한 반전 상태의 드레인 누설 전류와 기울기 12.5 MOSFET의 소신호 등가회로 모델 12.6 큰 드레인 전압이 인가된 MOSFET의 특성 12.7 기생 BJT와 MOSFET의 전기적 특성 12.8 MOSFET의 특성변수 추출 방법 12.9 MOSFET의 소형화로 인한 특성 변화 연습문제 CHAPTER 13 접합형 전계효과 트랜지스터의 전류-전압 특성 이 장의 구성과 학습 내용 13.1 접합형 전계효과 트랜지스터의 구조와 동작 13.2 접합형 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성 13.3 포화영역의 유효 채널길이 변조현상 13.4 소신호 특성과 소신호 등가회로 13.5 이종접합 고이동도 전계효과 트랜지스터 연습문제 CHAPTER 14 반도체 광소자 이 장의 구성과 학습 내용 14.1 광검출 소자의 구조와 동작 원리 14.2 태양전지의 구조와 동작 원리 14.3 발광 소자의 구조와 동작 원리 연습문제

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저자 : 김동명

서울대학교 공과대학에서 전자공학 학사(1986년)와 석사(1988년)를 마치고, 한국과학기술연구원(KIST)에서 연구원으로 근무하였다. 1989년 국비유학생으로 선발되어 미국 미네소타대학교에서 전기공학 박사 학위(1993년)를 취득하였다. 1993년 3월부터 국민대학교 전자공학부 교수로 재직중이며, 반도체 공학, 전자기학, 집적회로 등을 강의하고 있다. 반도체및집적회로연구실(S!LK)에서 반도체 소자 분야의 핵심 전문인력을 양성하고 있다 .

반도체 소자와 집적회로 설계, 제작, 특성 분석 및 모델링 분야의 전문가로서 활발히 연구를 수행하고 있으며, IEEE Electron Device Letters 등 SCI 등재저널에 160여 편의 논문을 발표하였다. SBS문화재단의 해외연구교수(2005년), LG연암문화재단의 연암해외연구교수(2012년)로 선정되었으며, 국민대학교에서 제1회 우수교수상(교육부분, 2011)을 수상하였다. 저서로는 『반도체 공학 연습문제 풀이집』(한빛아카데미, 2013)이 있으며, 매년 반도체 산업을 선도하는 기업체에서 반도체 소자를 강의하고 있다.

2002년 ~ 현재: 삼성전자(주), 연 2회(60시간/회)
2012년 ~ 현재: LG디스플레이(주)
2008년 ~ 2009년: 동부하이텍
2015년 ~ 2016년: 특허청 국제지식재산연수원

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