PART 01 반도체와 마케팅

01 20세기 최고의 발명품, 점 접촉 트랜지스터
02 자유전자의 탄생
03 전자와 에너지
04 반도체의 정의
05 디램과 낸드 플래시
06 넷다이, 반도체 테크놀로지가 결정하다
07 메모리의 성장과 제품의 세대교체
08 용량과 원가, 그리고 시장지배력

PART 02 층 쌓기, 반도체를 짓다

09 웨이퍼의 종류와 특성
10 초순수 위에 극초순수를 쌓다, 에피텍시 기술
11 이상적인 절연 기능, 산화막

[반도체 탐구 영역] 산화막 편
12 게이트 옥사이드의 기능과 신뢰성

[반도체 탐구 영역] 게이트 옥사이드 편
13 ALD, 분자막 쌓기
14 가스로 필름을 만드는 CVD

[반도체 탐구 영역] 화학기상증착(CVD) 편
15 MOS, 수직축으로 본 전계의 전달
16 게이트 단자의 변신

[반도체 탐구 영역] 게이트 단자 편
17 팹 프로세스 1 : 게이트 + 게이트 옥사이드

[반도체 탐구 영역] ALD 편

PART 03 패턴을 조각하다

18 빛과 돌로 만드는 반도체, 포토-리소그래피

[반도체 탐구 영역] 포토-리소그래피 편
19 포토 공정 : 감광액(PR) 도포하기
20 포토 공정 : 노광과 현상

[반도체 탐구 영역] 포토 공정 편
21 프로세스의 카운셀러, 플라즈마

[반도체 탐구 영역] 플라즈마 편
22 식각 : 패턴을 시작하다
23 식각 : 패턴을 완성하다

[반도체 탐구 영역] 식각 편
24 반도체를 세탁하다, 세정 공정

[반도체 탐구 영역] 세정 공정 편
25 팹 프로세스 2 : 소자분리막(STI) 구축하기

PART 04 트랜지스터, 농도의 화신

26 확산, 모두를 포용하다

[반도체 탐구 영역] 확산 편
27 이온주입, 건설적 파괴

[반도체 탐구 영역] 이온주입 편
28 웨이퍼를 담금질하다, 파괴를 복원하는 어닐링

[반도체 탐구 영역] 어닐링 편
29 다수 캐리어와 소수 캐리어
30 캐리어의 사막지대, 결핍 영역
31 FET, 수평축으로 본 전자의 이동

PART 05 MOSFET 특성과 CMOS 스위칭

32 문턱전압, 트랜지스터 동작의 첫걸음

[반도체 탐구 영역] 문턱전압 편
33 채널, 전자의 이동통로
34 단채널 부작용과 누설전류

[반도체 탐구 영역] 단채널 부작용과 누설전류 편
35 팹 프로세스 3 : 스페이서 + LDD
36 MOSFET 동작특성, 드레인 전류의 변화
37 CMOS, 반도체 르네상스를 이끈 디바이스의 최강자
38 이상적인 스위칭, CMOS 동작특성

[반도체 탐구 영역] CMOS 동작특성 편