CHAPTER 01 반도체 제조 기초
1.1 에너지 밴드
1.2 실리콘 결정
1.3 Si 웨이퍼
1.4 반도체 제조 Fab
1.5 수율
1.6 반도체 기술 발전
1.7 반도체 공정
연습문제

CHAPTER 02 산화
2.1 SiO2의 특징 및 형성
2.2 Si의 산화 메커니즘
2.3 반응 속도상수의 해석
연습문제

CHAPTER 03 포토리소그래피
3.1 포토리소그래피
3.2 포토레지스트의 종류
3.3 포토마스크와 노광 시스템
3.4 광원
3.5 선폭을 축소시키는 다양한 기술
3.6 EUV 리소그래피
연습문제

CHAPTER 04 습식 식각 및 세정
4.1 식각 및 세정
4.2 습식 식각
4.3 습식 세정
4.4 웨이퍼 건조
4.5 습식 식각의 방향성
연습문제

CHAPTER 05 건식 식각
5.1 건식 식각
5.2 플라즈마
5.3 건식 식각의 장비
5.4 건식 식각 메커니즘
5.5 Deep RIE 공정
5.6 건식 식각의 공정 파라미터
5.7 건식 식각의 다양한 식각 프로파일
연습문제

CHAPTER 06 확산
6.1 확산 공정 및 반응
6.2 픽의 법칙과 확산계수
6.3 확산의 종류
6.4 접합
6.5 전기적 성질
연습문제

CHAPTER 07 이온주입
7.1 이온주입
7.2 이온주입에 따른 농도 프로파일
7.3 이온주입 후의 도펀트 농도 프로파일 변화
7.4 고집적화를 위한 이온주입 공정
7.5 이온주입 모델의 예
7.6 이온주입이 적용되는 공정의 예
연습문제

CHAPTER 08 박막 증착
8.1 박막 증착 원리
8.2 물리적 기상 증착
8.3 화학 기상 증착
8.4 전해도금
연습문제

CHAPTER 09 CMP
9.1 CMP의 필요성
9.2 CMP 공정의 장비
9.3 슬러리
9.4 연마 패드 및 컨디셔너
9.5 CMP의 반응 메커니즘
9.6 CMP가 적용되는 공정의 예
9.7 CMP 공정의 개선
연습문제

CHAPTER 10 배선
10.1 배선의 필요성
10.2 배선 금속
10.3 저유전율 유전체
연습문제

CHAPTER 11 패키징
11.1 패키징
11.2 전통적 패키징 기술
11.3 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키징
11.4 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키징
11.5 차세대 패키징 기술
연습문제

참고문헌
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