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기초 전자의 세계
책소개
목차
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1.트랜지스터란 무엇인가?
트랜지스터의 작동원리 트랜지스터의 바이어스 방법 트랜지스터를 이용한 스위칭 회로 트랜지스터를 이용한 증폭기 2.전계효과 트랜지스터의 안과 밖 반도체를 알자 다이오드란 전계효과 트랜지스터의 안을 들여다보자 전계효과 트랜지스터의 외모 3.알기쉬운 전계효과 트랜지스터의 지식 접합형 전계효과 트랜지스터의 구조와 특성 절연형 FET(MOS-FET)의 구조와 특성 CMOS-FET MOS-FET의 정전용량 짧은 채널효과 소규모 MOS-FET 특성 4.FET의 바이어스 방법과 응용 접합형 전계효과 트랜지스터의 바이어스 방법 MOS-FET의 동작원리와 바이어스 방법 접합형 전계효과 트랜지스터를 이용한 회로 |
품목정보
- 발행일
- 2002년 05월 31일
- 쪽수, 무게, 크기
- 144쪽 | 293g | 크기확인중
- ISBN13
- 9788986412307
책 속으로
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P형 반도체와 N형 반도체를 서로 접합시키게 되면 N형 반도체에서 소량의 전자가 접합면을 넘어서 P형 반도체로 확산될 때마다 한쌍의 이온이 생긴다. 이러한 이온은 공유결합 때문에 자유전자와 정공처럼 이동할 수 없기 때문에 접합면 근처에서 고정되어 있고 결국 이온의 생성은 전자와 정공의 결합으로 소멸되는 현상과 같아 전자와 정공이 존재하지 않는 공간이 생긴다. 이 것을 공핍층(depletion layer)이라 부른다.
--- p.65 |
