챕터 1 전력반도체 소자의 범위와 분류 체계
전력반도체 소자의 역할과 요구 특성
저전력 소자와 전력소자의 차이
스위칭 소자와 정류 소자의 구분
전압·전류·주파수 관점의 분류
손실과 열 관점의 성능 척도
소자 구조와 응용 영역의 연결
신뢰성과 안전 여유 개념

챕터 2 반도체 물리 기반의 전도 메커니즘
에너지 밴드와 페르미 준위
도핑과 캐리어 농도
이동도와 산란 메커니즘
드리프트와 확산 전류
재결합과 수명 개념
고전계에서의 속도 포화
온도 의존성의 기초

챕터 3 PN 접합과 전력 다이오드의 동작 원리
PN 접합의 공핍층 형성
순방향 전도와 전압 강하
역방향 차단과 누설 전류
항복 메커니즘과 임계 전계
공핍층 확장과 전계 분포
정류 특성과 회복 현상 개요
다이오드 구조 변형의 목적
온도에 따른 특성 변화

챕터 4 MOS 구조와 전력 MOSFET의 기본 동작
MOS 커패시터의 전하 분포
축적·공핍·반전 상태
문턱전압의 물리적 의미
채널 형성과 전도 특성
선형 영역과 포화 영역
바디 다이오드의 역할
게이트 전하와 커패시턴스
온도와 공정 변동의 영향

챕터 5 IGBT의 구조와 캐리어 주입 동작
MOS 게이트 제어 개념
바이폴라 주입과 전도
온상태 전압 강하의 원인
턴온 과정의 전하 축적
턴오프 과정의 꼬리 전류
차단 능력과 드리프트 설계
내장 다이오드와 역방향 동작
온도 특성의 기본 경향

챕터 6 SiC 전력소자의 물성 기반 특성
넓은 밴드갭의 의미
임계 전계와 고전압 차단
열전도와 고온 동작
SiC 다이오드의 회복 특성
SiC MOSFET의 채널 특성
계면 결함과 문턱전압 변화
결함과 신뢰성 지표
패키지·열저항의 기초 관계

챕터 7 GaN 기반 HEMT의 기본 구조와 동작
헤테로접합과 2차원 전자 가스
정상 오프와 정상 온 개념
게이트 구조와 제어 방식
온저항과 전하 트랩의 영향
고속 스위칭의 물리적 배경
동적 Rds(on) 현상 개요
항복과 전계 집중
온도 및 바이어스 의존성

챕터 8 정적 특성 파라미터와 해석 프레임
차단 전압과 누설 전류
온저항과 전도 손실
문턱전압과 구동 여유
트랜스컨덕턴스와 출력 특성
안전 동작 영역의 의미
온도 계수와 안정성
파라미터 상관관계
데이터시트 파라미터의 물리적 해석

챕터 9 스위칭 동작과 동적 특성의 기본 해석
기생 커패시턴스와 전하
게이트 전하와 구동 전류
턴온·턴오프 전이 구간
전압·전류 오버슈트의 원인
스위칭 손실의 구성 요소
역회복과 상호작용
dv/dt·di/dt의 물리적 의미
기생 인덕턴스의 영향

챕터 10 열·신뢰성 기본 개념과 평가 틀
접합온도와 열저항 네트워크
정격과 디레이팅 개념
열폭주와 온도 피드백
열사이클과 피로 메커니즘
산화막·접합·금속 열화 개요
단락 및 과전압 스트레스 개념
기본 신뢰성 지표와 해석
고장 모드와 원인 분류 틀