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한빛아카데미-IT COOKBOOK
책소개
목차
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1장 | 반도체 내의 전자와 정공
01_ 실리콘 결정 구조 02_ 전자와 정공의 결합 모델 03_ 에너지 밴드 모델 04_ 반도체, 절연체, 도체 05_ 전자 및 정공 06_ 상태 밀도 07_ 열적 평형상태와 페르미 함수 08_ 전자와 정공의 농도 09_ n과 p의 일반적 이론 10_ 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도 11_ 장 요약 연습문제 참조문헌 2장 | 전자 및 정공의 운동과 재결합 01_ 열 운동 02_ 드리프트 03_ 확산 전류 04_ 에너지 다이어그램과 V, ? 간의 관계 05_ D와 μ 간의 아인슈타인 관계식 06_ 전자-정공 재결합 07_ 열 생성 08_ 유사 평형상태와 의사 페르미 준위 09_ 장 요약 연습문제 참조문헌 3장 | 소자 제조 기술 01_ 소자 제조에 대한 서론 02_ 실리콘의 산화 03_ 리소그래피 04_ 패턴 전사─에칭 05_ 도핑 06_ 도펀트 확산 07_ 박막 증착 08_ 상호 연결─후미 공정 09_ 테스팅, 조립, 그리고 검정 10_ 장 요약─소자 제조 예 연습문제 참조문헌 4장 | PN 접합과 금속-반도체 접합 #Part 1: PN 접합 01_ PN 접합 이론의 기초적 요소 02_ 공핍층 모델 03_ 역 바이어스된 PN 접합 04_ 커패시턴스-전압 특성 05_ 접합 항복 06_ 정 바이어스 상태에서 운반자 주입─유사평형 경계 조건 07_ 전류 연속 방정식 08_ 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 운반자 09_ PN 다이오드 IV 특성 10_ 전하 축적 11_ 다이오드의 소신호 모델 #Part 2: 광전 소자에의 응용 12_ 태양전지 13_ 발광 다이오드와 고체 조명 14_ 다이오드 레이저 15_ 광 다이오드 #Part 3: 금속-반도체 접합 16_ 쇼트키 장벽 17_ 열전자 방출 이론 18_ 쇼트키 다이오드 19_ 쇼트키 다이오드의 응용 20_ 양자 역학적 터널링 21_ 옴성 접촉 22_ 장 요약 연습문제 참조문헌 5장 | MOS 커패시터 01_ 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압 02_ 표면 축적 03_ 표면 공핍 04_ 문턱 조건 및 문턱 전압 05_ 문턱 조건 이후의 강반전 06_ MOS 커패시터의 C-V 특성 07_ 산화막 전하 08_ 폴리실리콘 게이트 공핍 09_ 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과 10_ CCD 및 CMOS 화상기 11_ 장 요약 연습문제 참조문헌 6장 | MOS 트랜지스터 01_ MOSFET의 소개 02_ 상보형 MOS(CMOS) 기술 03_ 표면 이동도와 고이동도 FET 04_ MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑 05_ MOSFET의 Qinv 06_ 기본적인 MOSFET IV 모델 07_ CMOS 인버터─회로의 예 08_ 속도 포화 09_ 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델 10_ 기생 소오스-드레인 저항 11_ 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출 12_ 속도 오버슛과 소오스 속도 한계 13_ 출력 컨덕턴스 14_ 고주파 성능 15_ MOSFET 잡음 16_ SRAM, DRAM, 비휘발성 (플래시) 메모리 소자들 17_ 장 요약 연습문제 참조문헌 7장 | 집적회로에서의 MOSFET?축소화, 누설전류 및 다른 토픽 01_ 소자 축소화─가격, 속도 및 전력 소모 02_ 문턱전압 이하 전류─“OFF”는 완전한 “OFF”가 아니다 03_ Vt 감소(롤 오프)─단채널 MOSFET이 심한 누설전류를 갖는다 04_ 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설전류 05_ Wdep을 줄이는 방법 06_ 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET 07_ Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계 08_ 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET 09_ 출력 컨덕턴스 10_ 소자 및 공정 시뮬레이션 11_ 회로 시뮬레이션을 위한 MOSFET 콤팩트 모델 12_ 장 요약 연습문제 참조문헌 8장 | 바이폴라 트랜지스터 01_ BJT 입문 02_ 컬렉터 전류 03_ 베이스 전류 04_ 전류 이득 05_ 컬렉터 전압에 의한 베이스 폭 변조 06_ 에버스-몰 모델 07_ 천이 시간과 전하 저장 08_ 소신호 모델 09_ 컷오프 주파수 10_ 전하 제어 모델 11_ 대신호 회로 시뮬레이션을 위한 모델 12_ 장 요약 연습문제 참조문헌 부록 Ⅰ 상태 밀도의 유도 부록 Ⅱ 페르미-디락 분포함수의 유도 부록 Ⅲ 소수 캐리어 가정의 일관성 찾아보기 |
저자 소개 4
Chenming Calvin
저자는 캘리포니아대학교(University of California) 버클리(Berkeley) 캠퍼스에서 마이크로전자공학 TSMC 우수 교수(TSMC Distinguished Professor Chair of Microelectronics)의 지위를 갖고 있다. 그는 미국기술자협회(U.S. Academy of Engineering)의 회원이고 중국과학자협회(Chinese Academy of Sciences)의 재외 회원이다. 2001년부터 2004년까지, 세계에서 가장 큰 IC 파운드리 회사인 TSMC의 최고기술경영자(Chief Technology Officer)로 재직하였다.
저자는 캘리포니아대학교(University of California) 버클리(Berkeley) 캠퍼스에서 마이크로전자공학 TSMC 우수 교수(TSMC Distinguished Professor Chair of Microelectronics)의 지위를 갖고 있다. 그는 미국기술자협회(U.S. Academy of Engineering)의 회원이고 중국과학자협회(Chinese Academy of Sciences)의 재외 회원이다. 2001년부터 2004년까지, 세계에서 가장 큰 IC 파운드리 회사인 TSMC의 최고기술경영자(Chief Technology Officer)로 재직하였다.
미국 전기전자기술자협회(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)의 회원인 그는 1977년에는 트랜지스터 신뢰성에 대한 연구로 잭 모톤 상(Jack Morton Award)을, 2002년에는 회로 시뮬레이션을 위한 세계적 표준 트랜지스터 모델을 최초로 공동 개발한 공로로 고체회로 상(Solid State Circuits Award)을, 그리고 2009년에는 소자 물리와 스케일링에 대해 탁월한 기여를 한 공로로 준이치 니시자와 메달(Jun-ichi Nishizawa Medal)의 영광을 안았다.
그는 60명이 넘는 박사학위 학생의 논문을 지도하였고, 800편의 기술 논문을 게재하였으며, 그리고 100건 이상의 U.S. 특허를 획득하였다. 그의 다른 명예로운 표창으로는 시그마 크시 모니 퍼스트 상(Sigma Xi Moni Ferst Award), 연구개발 100인 상(R&D 100 Award), 그리고 UC 버클리(UC Berkeley)의 최고 교수 상인 버클리 우수 교수 상(Berkeley Distinguished Teaching Award)이 있다.
미국 전기전자기술자협회(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)의 회원인 그는 1977년에는 트랜지스터 신뢰성에 대한 연구로 잭 모톤 상(Jack Morton Award)을, 2002년에는 회로 시뮬레이션을 위한 세계적 표준 트랜지스터 모델을 최초로 공동 개발한 공로로 고체회로 상(Solid State Circuits Award)을, 그리고 2009년에는 소자 물리와 스케일링에 대해 탁월한 기여를 한 공로로 준이치 니시자와 메달(Jun-ichi Nishizawa Medal)의 영광을 안았다.
그는 60명이 넘는 박사학위 학생의 논문을 지도하였고, 800편의 기술 논문을 게재하였으며, 그리고 100건 이상의 U.S. 특허를 획득하였다. 그의 다른 명예로운 표창으로는 시그마 크시 모니 퍼스트 상(Sigma Xi Moni Ferst Award), 연구개발 100인 상(R&D 100 Award), 그리고 UC 버클리(UC Berkeley)의 최고 교수 상인 버클리 우수 교수 상(Berkeley Distinguished Teaching Award)이 있다.
공주대학교 전기전자제어공학부 명예교수로, 한국과학기술원(KAIST)에서 전기 및 전자공학 박사학위를 취득했다. 삼성반도체 선임연구원으로 근무했으며, 미국 텍사스 주에 있는 서던메소디스트대학교(Southern Methodist University)에서 객원교수를 역임했다. 역서로는 『현대 반도체 소자 공학(수정판)』, 『전자회로(제9판)』, 『NO BULLSHIT 수학&물리 가이드』, 『최소한의 과학』, 『전기전자공학 개론(개정 6판)』 등이 있다.
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서울대학교 전기공학부 교수로, 서울대학교 전자공학과에서 학사 및 석사 학위를 취득하고 미국 캘리포니아 대학교 버클리 캠퍼스에서 박사 학위를 취득하였다. 모토롤라 및 퀄컴에서 연구원으로 근무하였으며, KAIST에서 교수를 역임하였다. 저서(공저)로는 『NANOCAD와 함께 하는 반도체 소자』(대영사)가 있다.
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서울대학교 전기공학부 교수로, 서울대학교 전자공학과에서 박사 학위를 취득하였다. 미국 MIT (Massachusettes Institute of Technology)에서 박사후 과정을 보냈고, 원광대와 경북대에서 교수로 재직하였다. 저서(공저)로는『MOSFETs: Performance』(Scientific)가 있다.
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품목정보
- 발행일
- 2013년 08월 05일
- 쪽수, 무게, 크기
- 456쪽 | 188*235*30mm
- ISBN13
- 9788998756390
