챕터 1 메모리반도체 소자와 공정의 전체 구조
메모리 제품군과 셀 개념
웨이퍼에서 칩까지 제조 흐름
소자 구조와 공정 단계의 대응 관계
기하 스케일과 전기적 특성의 연결
공정 조건과 변동의 의미
품질 지표의 기본 틀

챕터 2 반도체 물성과 전하 거동의 기초 틀
에너지 밴드와 페르미 준위
캐리어 생성과 재결합
도핑과 전도 메커니즘
이동도와 산란 요인
전기장 분포와 포텐셜
온도 의존성과 열적 효과

챕터 3 접합과 절연막 기반 구조의 이해
pn 접합의 형성과 공핍층
다이오드 전류와 누설 경로
쇼트키 접촉과 금속 반도체 계면
산화막의 전기적 역할
계면 트랩과 고정 전하
항복과 신뢰성 한계의 기원

챕터 4 MOS 구조와 트랜지스터의 동작 원리
MOS 커패시터의 축적 공핍 반전
문턱전압과 바디 효과
단채널 효과의 물리적 원인
서브스레시홀드와 오프 전류
게이트 누설과 터널링
소자 파라미터 추출의 기본 논리

챕터 5 메모리 셀 구조의 기초 지도
DRAM 1T1C 셀의 구성 요소
캐패시터 구조와 유효 면적
DRAM 누설과 리프레시의 물리적 배경
NAND 스트링 구조와 셀 간 결합
플로팅게이트와 차지트랩의 저장 원리
SRAM 셀의 안정성과 전환 조건

챕터 6 박막과 재료의 기본 원리
실리콘 산화막과 질화막 특성
고유전막과 등가 산화막 두께 개념
금속 게이트와 워크펑션
도전막과 배리어 라이너 역할
결정성 비정질성과 전기적 특성
응력과 박막 변형의 의미

챕터 7 패터닝 공정의 핵심 원리
포토레지스트의 반응과 현상
광학 해상도와 패턴 한계
오버레이와 얼라인 개념
마스크와 패턴 전사 오차
CD 변동과 라인엣지 거칠기
패턴 붕괴의 물리적 원인

챕터 8 증착 공정의 기초 메커니즘
CVD와 ALD의 성장 원리
PVD의 플럭스와 스텝커버리지
막 두께 균일도와 공정 변수
막 조성 밀도 불순물의 영향
초기 핵생성과 표면 반응
막 결함과 전기적 영향

챕터 9 식각 세정 열공정의 기본 연결
건식 식각에서의 반응성과 선택비
식각 프로파일과 이방성 형성
플라즈마 손상과 표면 변형
습식 세정과 오염 제어 개념
열처리와 결함 치유의 원리
확산과 활성화의 물리적 배경

챕터 10 평탄화 배선 측정의 공정 기반 이해
CMP의 제거 메커니즘과 균일도
컨택과 비아 형성의 전기적 의미
배선 저항과 RC 지연의 기초
결함 분류와 수율의 논리 구조
전기적 측정 항목과 의미 해석
공정 모니터링 지표의 해석 틀