챕터 1 반도체 소자와 공정 흐름의 구조적 이해
반도체 소자의 기능적 구성과 동작 개요
제조 공정 흐름의 큰 그림과 공정 간 연결
웨이퍼 기반 제조에서 단위 공정의 의미
공정 조건이 소자 특성에 영향을 주는 기본 경로
수율과 변동의 개념적 관계
공정 관리 관점에서 검사의 위치

챕터 2 웨이퍼와 표면 특성의 물리적 기반
결정 구조와 실리콘 웨이퍼의 기본 성질
웨이퍼 표면 거칠기와 오염의 개념
산화막과 박막의 표면·계면 특성
파티클과 유기·금속 오염의 일반적 영향
세정과 건조가 표면에 미치는 기본 효과
표면 결함의 형성 경로 개요

챕터 3 박막 형성과 제거의 원리
증착이 일어나는 기본 메커니즘
산화와 질화의 개념적 차이
막 두께와 균일도가 공정 결과에 주는 의미
식각의 방향성과 선택비 개념
건식 식각과 습식 식각의 원리적 대비
잔류물과 손상 발생의 기본 원인

챕터 4 포토 공정과 패턴 형성의 논리
패턴 전사의 단계적 구조
감광막의 반응과 현상의 기본 원리
해상도와 선폭이 결정되는 개념적 요인
정렬 오차와 중첩 오차의 의미
패턴 결함이 생성되는 일반적 경로
공정 변동이 패턴 품질에 반영되는 방식

챕터 5 도핑과 열처리의 기본 메커니즘
불순물 도입의 목적과 전기적 변화
확산과 이온 주입의 원리적 차이
농도 분포와 접합 형성의 개념
열처리의 역할과 재결정화 개요
열 예산과 소자 특성의 관계
손상 복구와 활성화의 기본 논리

챕터 6 배선과 금속화 공정의 개념 구조
배선층이 수행하는 기능과 설계적 제약
금속과 절연막의 적층 개념
배리어와 시드층의 역할 이해
콘택과 비아의 형성 원리
평탄화가 필요한 이유와 개념적 효과
저항과 신뢰성에 영향을 주는 기본 요인

챕터 7 웨이퍼 검사 체계의 목적과 범위
검사의 목적과 공정 내 배치 논리
결함과 변동을 구분하는 기본 관점
인라인 검사와 오프라인 분석의 개념적 차이
전수 검사와 샘플링 검사의 의미
검사 결과가 공정 판단으로 이어지는 구조
측정과 검사 데이터의 기본 특성

챕터 8 결함의 분류와 발생 메커니즘 이해
구조적 결함과 표면 결함의 개념적 구분
파티클 기인 결함의 형성 경로
패턴 기인 결함과 공정 조건의 연결
막 결함과 계면 문제의 일반적 원인
전기적 이상과 물리 결함의 관계
결함 밀도와 수율의 기본 관계

챕터 9 검사장비의 측정 원리와 신호 해석
광학 기반 검사에서의 대비와 산란 개념
전자빔 기반 검사에서의 신호 생성 개요
이미지 기반 검출과 비교의 기본 논리
감도와 오탐·미탐의 개념적 균형
분해능과 처리량 사이의 일반적 트레이드오프
측정 불확도와 반복성의 기본 의미
장비 조건이 결과에 반영되는 방식

챕터 10 검사 결과의 공정 해석과 기본 의사결정
검사 지표가 의미하는 공정 상태의 해석
공정 이상 징후를 구분하는 기본 논리
결함 지도와 공간 패턴의 개념적 활용
공정 단계 간 상관관계의 기본 접근
원인과 결과를 연결하는 최소 가정의 사고법
재검증과 재측정의 필요 조건 이해
표준화된 보고와 커뮤니케이션의 구조