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1. 방사선원
2. 방사선의 물질과의 상호작용 3. 계수통계와 오차의 평가 4. 방사선 검출기의 일반적인 성질 5. 이온화 函 6. 비례계수기 7. 가이거-뮬러 계수기 8. 섬광 검출기의 원리 9. 광전자 증배관 10. 섬광체를 이용한 방사선 분광학 11. 반도체 다이오우드 검출기 12. 게프마늄 감사선 검출기 13. 그 외의 반도체 검출기 14. 느린 중성자 검출기 15. 빠른 중성자 거출과 분광학 16. 펄스 처리 및 성형 17. 선량 펄스와 논이 펄스의 기능 18. 다중채널 펄스 분석 19. 그외 여러 유형의 검출기 20. 백그라운드와 검출기의 가려막기 |
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보상된 결과적인 물질은 고유이거나 순수한 물질의 많은 성질을 갖게 된다. 완전한 보상이 안될지라도 잔여 불순물 준위가 충분히 낮기 때문에 드리프트된 영역은 그 전체의 두께 전반에 대하여 쉽게 결핍될 수 있다. 리튬 드리프팅 과정에 의해서 만들어진 게르마늄 검출기는 Ge(Li)로 명칭이 주어진다. 이들 검출기는 1960년대 초에는 시중에서 구입할 수 있었고, 20년 동안 큰 체적의 게르마늄 검출기의 일반적인 유형으로서의 역할을 하였다.
1980년대 초에는 고순도 게르마늄의 광범위한 이용이 전적으로 리튬 드리프팅에 의해서 마련되었고, 대부분의 제조자들은 고순도 게르마늄 (HPGe)유형에 편승하여 Ge(Li)검출기의 생산을 중단하고 있다. 이 장의 후에 논의되지만 이러한 발전의 주요인은 HPGe검출기에 의해서 할 수 있는 휠씬 큰 조작상의 편리이다. --- p.558 |